[发明专利]一种紫外雪崩探测器及其制备方法

摘要

本发明公开了一种紫外雪崩探测器及其制备方法，该探测器为nipip结构，自衬底从下向上依次包括：p型层、i型光敏吸收层、p型过渡层、i型雪崩层、n型层；所述n型层上设置有n型欧姆电极，所述p型层上设置有p型欧姆电极；所述p型层为接收入射光的结构层所述衬底为可透光的衬底。由于本发明提供一种新的nipip结构，将衬底设置为可透光材料，因此紫外光可以从背部入射，穿过衬底来进行探测工作。后续在进行集成时，探测器阵列与其上的读出电路通过铟柱连接时，并不影响紫外光的探测工作。

主权项

1.一种紫外雪崩探测器，其特征在于，该探测器为nipip结构，自衬底从下向上依次包括：p型层、i型光敏吸收层、p型过渡层、i型雪崩层、n型层；所述n型层上设置有n型欧姆电极，所述p型层上设置有p型欧姆电极；所述p型层为接收入射光的结构层；所述衬底为可透光的衬底；其中，所述i型雪崩层的材料包括周期性交替设置的势阱层与势垒层，所述势阱层与势垒层之间的导带差大于价带差，势阱层位于一个周期的最下层，靠近所述p型过渡层，势垒层位于一个周期的最上层，靠近所述n型层，一个周期内的势阱层和势垒层之间包括应力调节层，所述应力调节层的禁带宽度小于所述势垒层的禁带宽度，大于所述势阱层的禁带宽度。