[发明专利]宽工作温区高介电性能的无铅电子陶瓷材料及制备方法有效
| 申请号： | 201710547143.8 | 申请日： | 2017-07-06 |
| 公开（公告）号： | CN107311643B | 公开（公告）日： | 2019-12-06 |
| 发明（设计）人： | 陈勇;张灿灿;邹建雄;王玮;曹万强;潘瑞琨;李璋 | 申请（专利权）人： | 湖北大学 |
| 主分类号： | H01G4/12 | 分类号： | H01G4/12;H01B3/12;C04B35/453;C04B35/622 |
| 代理公司： | 11228 北京汇泽知识产权代理有限公司 | 代理人： | 胡建文<国际申请>=<国际公布>=<进入 |
| 地址： | 430060 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种宽工作温区高介电性能的无铅电子陶瓷材料，化学通式为Na0.5Bi4.5Ti4‑xMgyO15‑2x+y，其中x＝0～0.08，y＝0.04～0.08。另外本发明还提供了该宽工作温区高介电性能的无铅电子陶瓷材料的制备方法。本发明对现有的钙钛矿结构的无铅压电陶瓷进行改性，通过Mg替代Ti或在Ti位掺Mg合成单相新型材料，相对于现有未掺Mg的无铅压电陶瓷材料而言，本发明的宽工作温区高介电性能的无铅电子陶瓷材料具有高介电常数和较低的最小介电损耗，同时通过改变掺Mg的量可得到具有不同性能陶瓷片，从而可应用于不同性能要求的器件中，应用范围广。 | ||
| 搜索关键词： | 电子陶瓷材料 高介电性能 宽工作温区 无铅 无铅压电陶瓷 钙钛矿结构 高介电常数 应用范围广 化学通式 介电损耗 新型材料 性能要求 陶瓷片 改性 制备 合成 替代 应用 | ||
【主权项】：
1.一种宽工作温区高介电性能的无铅电子陶瓷材料，其特征在于：化学通式为Na0.5Bi4.5Ti4-xMgyO15-2x+y，其中x=0～0.08，y=0.04～0.08。/n
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