[发明专利]一种闪存存储器的抗总剂量辐照加固方法有效
| 申请号： | 201710542846.1 | 申请日： | 2017-07-05 |
| 公开（公告）号： | CN109213620B | 公开（公告）日： | 2022-03-25 |
| 发明（设计）人： | 李梅;毕津顺;戴茜茜;刘明;李博;习凯 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | G06F11/10 | 分类号： | G06F11/10;G11C7/24 |
| 代理公司： | 北京兰亭信通知识产权代理有限公司 11667 | 代理人： | 赵永刚 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种闪存存储器的抗总剂量辐照加固方法，其中包括：步骤一、提供闪存存储阵列，以及与闪存存储阵列相邻的监控存储阵列；步骤二、在闪存存储阵列不工作时，关闭闪存存储阵列与外围电路的连接，使监控存储阵列开始工作，并在监控阵列单元的栅极施加读取电压；步骤三、将监控存储阵列的位线总电流输出，并与参考电流阈值进行比较；步骤四、判断比较结果，若位线总电流小于参考电流，隔固定时间后再次对监控存储阵列进行读操作；若位线总电流大于等于参考电流，则对闪存存储阵列和监控存储阵列执行刷新操作。本发明能够通过监控存储阵列位线电流的大小来发现漏电，提高存储阵列的抗总剂量辐照的能力。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 闪存 存储器 剂量 辐照 加固 方法 | ||
【主权项】：
1.一种闪存存储器的抗总剂量辐照加固方法，其特征在于，包括：步骤一、提供闪存存储阵列，以及与所述闪存存储阵列相邻的监控存储阵列；步骤二、在所述闪存存储阵列不工作时，关闭所述闪存存储阵列与外围电路的连接，使所述监控存储阵列开始工作，并在所述监控阵列单元的栅极施加读取电压；步骤三、将所述监控存储阵列的位线总电流输出，并与参考电流阈值进行比较；步骤四、判断比较结果，若所述位线总电流小于所述参考电流，隔固定时间后再次对所述监控存储阵列进行读操作；若所述位线总电流大于等于所述参考电流，则对所述闪存存储阵列和所述监控存储阵列执行刷新操作。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院微电子研究所，未经中国科学院微电子研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201710542846.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
