[发明专利]具有温度自补偿的高温薄膜半桥式电阻应变计及制备方法有效
| 申请号： | 201710542699.8 | 申请日： | 2017-07-05 |
| 公开（公告）号： | CN107267944B | 公开（公告）日： | 2020-05-12 |
| 发明（设计）人： | 蒋书文;刘豪;赵晓辉;蒋洪川;张万里 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/16;C23C14/08;C23C14/18;C23C14/04;C23C14/58;G01B7/16 |
| 代理公司： | 电子科技大学专利中心 51203 | 代理人： | 甘茂 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明属于薄膜电阻应变计技术领域，提供一种具有温度自补偿的高温薄膜半桥式电阻应变计及制备方法，适用于原位温度不宜直接测得或者温度处于动态波动的高温环境。本发明半桥式电阻应变计，包括从下向上依次层叠的镍基合金基底、缓冲层、绝缘层、功能层及保护层，功能层由两个相同结构的图形化应变敏感单元构成，两个图形化应变敏感单元相互垂直设置、共同构成一个半桥式结构；将该薄膜半桥式电阻应变计接入惠斯通桥式电路中，能够有效的自补偿测试过程中由于温度波动(变化)引起的视应变误差以及敏感层电阻漂移所引起的漂移应变误差，从而提高应变计的测试精度和准确度；另外，其制备工艺简单、制备成本低、利于工业化生产。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 温度 补偿 高温 薄膜 半桥式 电阻 应变 制备 方法 | ||
【主权项】：
具有温度自补偿的高温薄膜半桥式电阻应变计，包括从下向上依次层叠的镍基合金基底、缓冲层、绝缘层、功能层及保护层，其特征在于，所述功能层由两个相同结构的图形化应变敏感单元构成，所述两个图形化应变敏感单元相互垂直设置、共同构成一个半桥式结构。
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