[发明专利]管式PERC太阳能电池的修复工艺及制备工艺有效
申请号: | 201710532627.5 | 申请日: | 2017-07-03 |
公开(公告)号: | CN107331730B | 公开(公告)日: | 2019-04-23 |
发明(设计)人: | 方结彬;夏利鹏;林纲正;赖俊文;何达能;陈刚 | 申请(专利权)人: | 浙江爱旭太阳能科技有限公司;广东爱旭科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L21/02;H01L21/268;H01L21/673;H01L21/677;H01L31/0216 |
代理公司: | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人: | 胡枫 |
地址: | 322009 浙江省*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 本发明公开了一种管式PERC太阳能电池的修复工艺,修复工艺设置在硅片退火之后,硅片背面镀膜之前,包括:(1)将退火后镀膜前停留时间超过4小时的半成品硅片置入修复炉,通入流量为5‑10slm的氮气实现自洁,氮气的通入时间为1‑5min;(2)通入流量为5‑20slm的氮气,用于吹扫硅片上的灰尘;(3)将修复炉从室温升温到500‑650℃,同时通入流量为1‑5slm的氮气;(4)将修复炉在500‑650℃恒温5‑30min,同时通入流量为5‑20slm的氮气。相应的,本发明还公开了一种管式PERC太阳能电池的制备工艺。采用本发明,解决半成品停留时间过长带来的效率下降问题,并提高EL良率。 | ||
搜索关键词: | perc 太阳能电池 修复 工艺 制备 | ||
【主权项】:
1.一种管式PERC太阳能电池的修复工艺,其特征在于,所述修复工艺设置在硅片退火之后,硅片背面镀膜之前,所述修复工艺包括:(1)将扩散、刻蚀、退火后,镀膜前停留时间超过4小时的半成品硅片置入修复炉,所述修复炉包括炉外腔,旋转内腔和中心固定机构,中心固定机构上设置有红外灯和喷气管,旋转内腔上设置有放置硅片的卡槽和连通炉外腔的通孔,所述喷气管通入流量为5‑10slm的氮气实现自洁,所述氮气的通入时间为1‑5min;(2)通入流量为5‑20slm的氮气,用于吹扫硅片上的灰尘;(3)将修复炉从室温升温到500‑650℃,升温时间为5‑20min,同时通入流量为1‑5slm的氮气;(4)将修复炉在500‑650℃恒温5‑30min,同时通入流量为5‑20slm的氮气。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的