[发明专利]一种数字移相器在审
| 申请号： | 201710504187.2 | 申请日： | 2017-06-27 |
| 公开（公告）号： | CN107332538A | 公开（公告）日： | 2017-11-07 |
| 发明（设计）人： | 罗卫军;孙朋朋;刘辉;张宗敏;耿苗;张蓉 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H03H11/16 | 分类号： | H03H11/16 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开一种数字移相器，包括数字移相电路和GaN基；其中，数字移相电路位于GaN基上，数字移相电路采用全通型结构的数字移相电路，该全通型结构的数字移相电路具有AlGaN/GaN异质结的高电子迁移率场效应晶体管(HEMT)作为开关器件。本发明的数字移相器提高了相控阵雷达、通信、电子对抗以及智能武器等军事系统与装备中收发组件的性能，并且提高相移精度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 数字 移相器 | ||
【主权项】：
一种数字移相器，包括：GaN基底；以及数字移相电路，形成于该GaN基底上；其中，所述数字移相电路采用全通型结构的数字移相电路，该全通型结构的数字移相电路采用AlGaN/GaN异质结的高电子迁移率场效应晶体管作为开关器件。
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