[发明专利]一种阵列基板母板的制备方法、阵列基板母板和检测方法有效
申请号: | 201710499346.4 | 申请日: | 2017-06-27 |
公开(公告)号: | CN107195639B | 公开(公告)日: | 2020-04-03 |
发明(设计)人: | 付方彬;郭会斌;王守坤;韩皓;宋勇志 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;北京京东方显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L21/66 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 刘悦晗;陈源 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明提供一种阵列基板母板的制备方法、阵列基板母板和检测方法,所述阵列基板母板的制备方法包括:在衬底基板上沉积第一薄膜,第一薄膜的边缘与衬底基板的边缘存在间隙,在第一薄膜上涂覆光刻胶,进行曝光、显影,以使光刻胶形成第一刻度图形,第一刻度图形与衬底基板的边缘平齐,且覆盖第一薄膜,从而可以通过第一刻度图形读取出第一薄膜的边缘与衬底基板的边缘的距离,相比于手动测量的方法,测量效率较高,且省时省力,而且,通过光刻工艺形成的第一刻度图形的精度为微米级,相比于现有毫米级的刻度尺,测量精度较高,测量偏差较小。 | ||
搜索关键词: | 一种 阵列 母板 制备 方法 检测 | ||
【主权项】:
一种阵列基板母板的制备方法,其特征在于,包括:在衬底基板上沉积第一薄膜,所述第一薄膜的边缘与所述衬底基板的边缘存在间隙;在所述第一薄膜上涂覆光刻胶,对完成上述步骤的衬底基板进行曝光、显影,以使光刻胶形成第一刻度图形,所述第一刻度图形的一端与所述衬底基板的边缘平齐,且另一端覆盖所述第一薄膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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