[发明专利]一种具有防反射层的砷化镓太阳能电池在审
| 申请号： | 201710498727.0 | 申请日： | 2017-06-27 |
| 公开（公告）号： | CN109148609A | 公开（公告）日： | 2019-01-04 |
| 发明（设计）人： | 黄孝如 | 申请（专利权）人： | 海门市绣羽工业设计有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0216 | 分类号： | H01L31/0216;H01L31/0693 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 226100 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种具有防反射层的砷化镓太阳能电池，所述砷化镓太阳能电池依次包括：砷化镓衬底；位于砷化镓衬底上的背电场层；位于背电场层上的砷化镓p‑n结，所述砷化镓p‑n结包括层叠设置的n型砷化镓层和p型砷化镓层；位于砷化镓p‑n结上的砷化铝镓窗口层；位于砷化铝镓窗口层上的电极接触层；位于电极接触层上的防反射层；以及，位于电极接触层上的若干电极。本发明中通过加入防反射结构，可以大大降低反射的光线，提高了太阳能电池的光电转换效率。 | ||
| 搜索关键词： | 砷化镓 砷化镓太阳能电池 电极接触层 防反射层 砷化铝镓 背电场 窗口层 衬底 光电转换效率 防反射结构 太阳能电池 层叠设置 电极 反射 | ||
【主权项】：
1.一种具有防反射层的砷化镓太阳能电池，其特征在于，所述砷化镓太阳能电池依次包括：砷化镓衬底；位于砷化镓衬底上的背电场层；位于背电场层上的砷化镓p‑n结，所述砷化镓p‑n结包括层叠设置的n型砷化镓层和p型砷化镓层；位于砷化镓p‑n结上的砷化铝镓窗口层；位于砷化铝镓窗口层上的电极接触层；位于电极接触层上的防反射层；以及，位于电极接触层上的若干电极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
