[发明专利]一种贵金属防氧化膜的真空镀膜方法及贵金属镀膜制品有效

专利信息
申请号: 201710495315.1 申请日: 2017-06-26
公开(公告)号: CN107227451B 公开(公告)日: 2019-04-19
发明(设计)人: 潘振强;朱惠钦 申请(专利权)人: 广东振华科技股份有限公司
主分类号: C23C16/40 分类号: C23C16/40;C23C16/50;C23C16/505
代理公司: 广州新诺专利商标事务所有限公司 44100 代理人: 曹爱红
地址: 526020 广东省肇庆市端*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明属于真空镀膜技术领域,具体公开贵金属防氧化膜的真空镀膜方法,具体步骤是:(1)对待镀的贵金属基材进行镀膜前的预清洗处理:(2)在低真空度的环境下,对待镀的贵金属基材通过离子源放电方式进行表面放电处理;(3)上述待镀的贵金属基材在本底真空环境下,采用等离子体化学气相沉积的方法,在高压功率源的作用下,在待镀的贵金属基材的表面镀制氧化硅防氧化膜;(4)完成整个防氧化薄膜过程。该镀膜方法能在贵金属的表面沉积纳米无机非金属氧化物透明保护薄膜,实现对金属银表面的防氧化防护,其以实现大批量贵金属表面的防氧化薄膜制备,提高设备的生产效率,同时采用该工艺制备的防氧化薄膜具有优良的基材附着力和耐摩擦性能。
搜索关键词: 一种 贵金属 氧化 真空镀膜 方法 镀膜 制品
【主权项】:
1.一种贵金属防氧化膜的真空镀膜方法,具体步骤是:(1)对待镀的贵金属基材进行镀膜前的预清洗处理:(2)在真空室低真空度的环境下,对待镀的贵金属基材通过离子源放电处理系统进行表面放电处理,该离子源放电处理条件为:真空度为2‑10Pa,常温条件下放电处理5‑15分钟,以达到活化基材表面的目的;(3)上述待镀的贵金属基材在离子源放电处理后,关闭离子源放电处理系统,重新抽至本底真空,通入有机硅烷单体和辅助放电气体氩气,采用等离子体化学气相沉积的方法,在高压功率源的作用下,使得有机硅烷单体裂解,在待镀的贵金属基材的表面镀制氧化硅防氧化膜,所述等离子体化学气相沉积方式制备氧化硅薄膜的条件是:真空度为1.0Pa‑100Pa,采用的是中频电源或者射频电源进行放电;(4)关闭放电电源,完成整个防氧化薄膜的制备流程,待真空室恢复大气压后,取出完成防氧化薄膜镀制的贵金属镀膜制品。
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