[发明专利]一种除去氧化石墨烯合成体系中硫酸根杂质的方法有效
| 申请号： | 201710457827.9 | 申请日： | 2017-06-16 |
| 公开（公告）号： | CN107285304B | 公开（公告）日： | 2019-03-29 |
| 发明（设计）人： | 杨晓晶;邵百一;刘盛堂 | 申请（专利权）人： | 北京师范大学;北京师大科技园科技发展有限责任公司 |
| 主分类号： | C01B32/198 | 分类号： | C01B32/198 |
| 代理公司： | 北京柏杉松知识产权代理事务所(普通合伙) 11413 | 代理人： | 张函;王春伟 |
| 地址： | 100875 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明实施例提供了一种除去氧化石墨烯合成体系中硫酸根杂质的方法，包括以下步骤：(1)采用Hummers法或改进的Hummers法合成氧化石墨烯，合成结束后，得到氧化石墨烯合成体系；(2)将氧化石墨烯合成体系与含有金属阳离子的水溶液混合，加入密度大于水，且不与水混溶的有机溶剂，搅拌，得到混合体系，静置分层；其中所述金属阳离子能够与硫酸根形成沉淀。本发明的方法在去除硫酸根的同时，还可以去除氧化石墨烯合成体系中的锰离子。而且，与离心洗涤的方式相比，本发明提供的除去氧化石墨烯合成体系中硫酸根杂质的方法，更简洁，更适于工业生产。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 除去 氧化 石墨 合成 体系 硫酸 杂质 方法 | ||
【主权项】：
1.一种除去氧化石墨烯合成体系中硫酸根杂质的方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)采用Hummers法或改进的Hummers法合成氧化石墨烯，合成结束后，得到氧化石墨烯合成体系；(2)将氧化石墨烯合成体系与含有金属阳离子的水溶液混合，加入密度大于水，且不与水混溶的有机溶剂，搅拌，得到混合体系，静置分层；其中所述金属阳离子能够与硫酸根形成沉淀。
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