[发明专利]多级结构二氧化钛纳米线阵列及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201710452367.0 申请日: 2017-06-15
公开(公告)号: CN107445199B 公开(公告)日: 2019-11-19
发明(设计)人: 李效民;陈永博;徐小科;高相东;毕志杰;何晓利 申请(专利权)人: 中国科学院上海硅酸盐研究所
主分类号: C01G23/047 分类号: C01G23/047;C01G23/053;B82Y40/00;H01G9/20;H01G11/46
代理公司: 31261 上海瀚桥专利代理事务所(普通合伙) 代理人: 曹芳玲;熊子君<国际申请>=<国际公布>
地址: 200050 *** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明提供多级结构二氧化钛纳米线阵列及其制备方法,多级结构二氧化钛纳米线阵列是由二氧化钛纳米线形成的阵列,所述二氧化钛纳米线为多级结构,包括二氧化钛单晶纳米线和包覆于所述二氧化钛单晶纳米线表面的二氧化钛纳米颗粒。在二氧化钛单晶纳米线的表面包覆二氧化钛纳米颗粒,由此形成的阵列具有高比表面积和填充密度,由此可以提高阵列的电致变色性能、电容性能和光电性能等。
搜索关键词: 多级 结构 氧化 纳米 阵列 及其 制备 方法
【主权项】:
1.一种多级结构二氧化钛纳米线阵列的制备方法,其特征在于,是由二氧化钛纳米线形成的阵列,所述二氧化钛纳米线为多级结构,包括二氧化钛单晶纳米线和包覆于所述二氧化钛单晶纳米线表面的二氧化钛纳米颗粒;所述制备方法包括以下步骤:/n(1)在基底上形成二氧化钛籽晶层;/n(2)将形成有二氧化钛籽晶层的基底置于水热前驱液中进行水热反应以在基底上附着二氧化钛单晶纳米线阵列; 以及/n(3)在二氧化钛单晶纳米线上层-层沉积二氧化钛纳米颗粒;/n步骤(3)包括如下步骤:/n(3-1)将附着有二氧化钛单晶纳米线阵列的基底浸涂二氧化钛前驱体;和/n(3-2)浸涂后进行热处理,所述热处理是在气氛中于100~600℃保持30~240分钟,或者是在水中于100~200℃保持5~24小时;/n步骤(3-1)包括:将附着有二氧化钛单晶纳米线阵列的基底顺次浸渍于二氧化钛前驱体溶液、乙醇、水、和乙醇,每次浸渍时间为5~150秒;/n所述二氧化钛纳米颗粒为非晶、多晶或纳米晶,粒径为2~15 nm,包覆厚度为2~80nm,所述阵列在着色电压为-1.6V时,电致变色对比度为25~40%,在着色电压为-2.0V时,电致变色对比度为30~46%。/n
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