[发明专利]一种变比例钛铝共晶的GaNHEMT欧姆接触工艺方法

摘要

本发明公布了一种变比例钛铝共晶的GaN HEMT欧姆接触工艺方法，通过溅射同时淀积Ti和Al两种金属，增加了合金中两种反应金属的接触面积来改善欧姆合金金属中Ti和Al的共融程度；在溅射过程中调节电极表面Ti/Al金属的比例来降低接触电阻和提高合金反应后电极表面形貌,以上方式制备的欧姆接触，降低了接触电阻率和合金反应温度，提高了常规合金反应的欧姆接触电极的表面形貌，从而提高了GaN HEMT器件的性能和可靠性，有广泛的工业化应用前景。

主权项

1.一种变比例钛铝共晶的GaNHEMT欧姆接触工艺方法，包括如下步骤：步骤1：在一个已完成的GaNHEMT外延结构表面使用光刻板在光刻胶上进行光刻显影形成欧姆电极图形；步骤2：在步骤1形成的带电极区域光刻胶的晶圆上，沉积欧姆金属Ti和Al，同时溅射这两种金属，通过分别控制Ti和Al的射频电源功率来控制两种金属的沉积速率，使靠近半导体的一侧Al含量较高，在接近电极表面的一侧Al的含量降低，然后在沉积的欧姆金属上依次沉积阻挡层金属和电极金属；步骤3：使用湿法浸泡，去离子水清洗的方法剥离步骤2中的欧姆金属,形成源极区域和漏极区域；步骤4：使用快速热退火进行欧姆合金反应，形成欧姆接触电极。