[发明专利]镓解理面III族/氮化物磊晶结构及其主动元件与其制作方法有效
| 申请号： | 201710447012.2 | 申请日： | 2017-06-14 |
| 公开（公告）号： | CN107507856B | 公开（公告）日： | 2020-11-03 |
| 发明（设计）人： | 江文章 | 申请（专利权）人： | 黄知澍 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/778;H01L29/872;H01L21/335;H01L21/329 |
| 代理公司： | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 11019 | 代理人： | 寿宁;张华辉 |
| 地址： | 中国台湾台北市大*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明是关于一种镓解理面III族/氮化物磊晶结构及其主动元件与其制作方法。在此镓解理面的氮化镓铝/氮化镓磊晶结构包含有一基底；一位于基底上的氮化镓碳掺杂高阻值层；一位于氮化镓碳掺杂高阻值层上的氮化镓铝缓冲层；一位于氮化镓铝缓冲层上的氮化镓通道层；以及一位于氮化镓通道层上的氮化镓铝层。在元件设计上藉由P型氮化镓倒置梯型栅极或阳极结构使镓解理面III族/氮化物磊晶结构内的二维电子气在P型氮化镓倒置梯型结构下方处能呈现耗尽状态，以制作出P型氮化镓栅极加强型氮化镓铝/氮化镓高速电子迁移率晶体管、P型氮化镓阳极氮化镓铝/氮化镓肖特基势垒二极管或混合型元件。 | ||
| 搜索关键词： | 解理 iii 氮化物 结构 及其 主动 元件 与其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种镓解理面氮化镓铝/氮化镓磊晶结构，其特征在于，其包含有:一基底；一氮化镓碳参杂高阻值层，其位于该基底上；一氮化镓铝缓冲层，其位于该氮化镓碳参杂高阻值层上；一氮化镓通道层，其位于该氮化镓铝缓冲层上；以及一氮化镓铝层，其位于该氮化镓通道层上，其中该氮化镓铝层中的铝含量范围为X，而该X＝0.1～0.3；该氮化镓铝缓冲层中的铝含量范围为Y，而该Y＝0.05～0.75。
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