[发明专利]一种基于氧化石墨烯的高稳定性阻变存储器有效

专利信息
申请号: 201710441373.6 申请日: 2017-06-13
公开(公告)号: CN107256925B 公开(公告)日: 2020-03-10
发明(设计)人: 徐海阳;王中强;朱佳雪;谢瑜;黎旭红;刘益春 申请(专利权)人: 东北师范大学
主分类号: H01L45/00 分类号: H01L45/00;B82Y30/00;B82Y10/00
代理公司: 长春市东师专利事务所 22202 代理人: 张铁生;刘延军
地址: 130021 吉*** 国省代码: 吉林;22
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摘要: 发明公开了一种基于氧化石墨烯的高稳定性阻变存储器,包括底电极、顶电极以及位于两电极之间的阻变功能层,所述的阻变功能层为掺杂有TiO2纳米颗粒的氧化石墨烯乙醇溶液经磁力搅拌器上搅拌,旋涂在底电极表面,形成的薄膜,所述的薄膜再经过紫外光照射处理;与没有掺杂TiO2纳米颗粒的阻变存储器相比,开启电压值明显小于对照器件相应的值,可有效降低细丝形成过程中的电功耗;连续100次开关操作的Vset和Vreset累积概率分布相对集中,电学参数均一;对照器件在连续开关600次以后,器件高低阻态相互交迭从而器件失效;高低阻态在连续1000次开关操作后依旧保持较大的开关比例(Roff/on~20),工作稳定性高。
搜索关键词: 一种 基于 氧化 石墨 稳定性 存储器
【主权项】:
一种基于氧化石墨烯的高稳定性阻变存储器,包括底电极、顶电极以及位于两电极之间的阻变功能层,其特征在于:所述的阻变功能层为掺杂有TiO2纳米颗粒的氧化石墨烯乙醇溶液经磁力搅拌器上搅拌,旋涂在底电极表面,形成的薄膜,所述的薄膜再经过紫外光照射处理。
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