[发明专利]金属配线、其的形成方法及包含其的半导体器件在审
| 申请号： | 201710432718.1 | 申请日： | 2017-06-09 |
| 公开（公告）号： | CN107492507A | 公开（公告）日： | 2017-12-19 |
| 发明（设计）人： | 咸文镐;孙明佑 | 申请（专利权）人： | 光州科学技术院 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60;H01L23/528 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司11332 | 代理人： | 吕琳,宋东颖 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及金属‑石墨烯异种接合金属配线、其的形成方法及包含其的半导体器件，其中包括步骤A，通过在基板的上部面蒸镀碳源，来形成碳源层；步骤B，通过在上述碳源层上蒸镀金属催化剂，来形成金属催化剂层；以及步骤C，对包括上述碳源层及金属催化剂层的基板进行热处理，能够与层数无关地仅用1次热处理形成石墨烯，因此减少金属配线的制备时间及制备费用，并且不发生基于热处理的金属配线的损伤。 | ||
| 搜索关键词： | 金属 形成 方法 包含 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种金属‑石墨烯异种接合金属配线的形成方法，其特征在于，包括：步骤A，通过在基板的上部面蒸镀碳源，来形成碳源层；步骤B，通过在上述碳源层上蒸镀金属催化剂，来形成金属催化剂层；以及步骤C，对包括上述碳源层及金属催化剂层的基板进行热处理，来将与上述金属催化剂层相接触的碳源层合成为石墨烯层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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