[发明专利]一种射频前端中的低噪声放大器有效
| 申请号： | 201710415099.5 | 申请日： | 2017-06-05 |
| 公开（公告）号： | CN107332522B | 公开（公告）日： | 2020-12-11 |
| 发明（设计）人： | 张海兵;方俊平;柯庆福 | 申请（专利权）人： | 锐迪科微电子科技(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H03F1/26 | 分类号： | H03F1/26;H03F3/193;H03F3/45 |
| 代理公司： | 上海恒锐佳知识产权代理事务所(普通合伙) 31286 | 代理人： | 殷晓雪 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请公开了一种射频前端中的低噪声放大器，包括级联的放大晶体管与共栅晶体管，在共栅晶体管的漏极与源极之间连接有滤波器。所述滤波器在低噪声放大器内部，属于片内滤波器，具有体积小、成本低的有益效果。所述滤波器包括级联的n通道滤波器和反相放大器，用来实现对阻塞信号的过滤与抑制。n通道滤波器使用n相本振信号控制，由于开关管不可避免地存在失配，本振信号也因此不可避免地会泄露到共栅晶体管的源极即放大晶体管的漏极。所述放大晶体管采用共源极连接方式，通过漏极到栅极的反向隔离减少本振信号泄漏到天线端的信号强度。或者，所述放大晶体管采用共栅极连接方式，通过漏极到源极的反向隔离减少本振信号泄漏到天线端的信号强度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 射频 前端 中的 低噪声放大器 | ||
【主权项】：
一种射频前端中的低噪声放大器，其特征是，所述低噪声放大器包括级联的放大晶体管与共栅晶体管，在共栅晶体管的漏极与源极之间连接有滤波器；所述放大晶体管采用共源极或共栅极连接方式；所述滤波器在低噪声放大器内部，包括级联的n通道滤波器和反相放大器。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于锐迪科微电子科技(上海)有限公司，未经锐迪科微电子科技(上海)有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201710415099.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
