[发明专利]HVPE用气体传输装置、反应腔及HVPE设备有效
申请号: | 201710403458.5 | 申请日: | 2017-06-01 |
公开(公告)号: | CN107267960B | 公开(公告)日: | 2021-07-09 |
发明(设计)人: | 特洛伊·乔纳森·贝克;谢宇;罗晓菊;王颖慧 | 申请(专利权)人: | 镓特半导体科技(上海)有限公司 |
主分类号: | C23C16/455 | 分类号: | C23C16/455;C23C16/34;C30B25/14;C30B29/38 |
代理公司: | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人: | 胡彬 |
地址: | 201306 上海市浦东*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明提供一种HVPE用气体传输装置、反应腔及HVPE设备,其中,所述HVPE用气体传输装置至少包括:含金属前驱物气体通路管道,屏蔽气体通路管道,以及含氮前驱物气体通路管道;其中:所述含氮前驱物气体通路管道套设于所述屏蔽气体通路管道外,所述屏蔽气体通路管道套设于所述含金属前驱物气体通路管道外,形成同轴三套管结构;所述含金属前驱物气体通路管道近出口处设有孔状封端。本发明提高了含氮前驱物气体与含金属前驱物气体混合的均匀性,并提高了气流均匀性,从而提高了在衬底表面生长的外延层厚度及其组分的均匀性,同时避免了含金属前驱物气体与含氮前驱物气体在气体传输装置的出口处附生生长。 | ||
搜索关键词: | hvpe 气体 传输 装置 反应 设备 | ||
【主权项】:
一种HVPE用气体传输装置,其特征在于,所述HVPE用气体传输装置至少包括:含金属前驱物气体通路管道,屏蔽气体通路管道,以及含氮前驱物气体通路管道;其中:所述含氮前驱物气体通路管道套设于所述屏蔽气体通路管道外,所述屏蔽气体通路管道套设于所述含金属前驱物气体通路管道外,形成同轴三套管结构;所述含金属前驱物气体通路管道近出口处设有孔状封端。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
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