[发明专利]异质集成的硅基射频微系统结构及其制作方法有效
| 申请号： | 201710400399.6 | 申请日： | 2017-05-31 |
| 公开（公告）号： | CN107359156B | 公开（公告）日： | 2020-03-17 |
| 发明（设计）人： | 刘秀博;王绍东;王志强;吴洪江 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第十三研究所 |
| 主分类号： | H01L25/16 | 分类号： | H01L25/16;H01L23/10 |
| 代理公司： | 石家庄国为知识产权事务所 13120 | 代理人： | 申超平 |
| 地址： | 050051 *** | 国省代码： | 河北;13 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种异质集成的硅基射频微系统结构及其制作方法，涉及半导体和微电子封装技术领域，包括硅基载体层、硅基外框层、硅基引线保护层、硅基盖板层、衰减器、射频芯片和滤波器；本发明针对射频组件中因为应用多颗不同工艺的不同衬底材料的芯片使得组件体积庞大的问题，设计一种异质集成的硅基射频微系统结构，使得不同工艺的不同衬底材料的芯片集成在同一硅基衬底上，同时在硅基基板上直接加工衰减器和滤波器等无源器件来实现有源射频器件和无源射频器件的异质集成，最后整体单元作为一个整体进行系统级封装，从而减小射频系统的体积，提高射频系统的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 集成 射频 系统 结构 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种异质集成的硅基射频微系统结构，其特征在于：包括硅基载体层（1）、硅基外框层（2）、硅基引线保护层（3）、硅基盖板层（4）、衰减器（7）、射频芯片和滤波器（8）；硅基载体层（1）、硅基外框层（2）、硅基引线保护层（3）和硅基盖板层（4）均设有通孔（9），滤波器（8）和衰减器（7）位于硅基外框层（2）上表面；硅基载体层（1）、硅基外框层（2）和硅基引线保护层（3）自下而上依次堆叠连接，硅基盖板层（4）与硅基载体层（1）、硅基外框层（2）和硅基引线保护层（3）连接，射频芯片填埋在硅基载体层（1），射频芯片通过引线与硅基外框层（2）连接，滤波器（8）和衰减器（7）电气连接。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国电子科技集团公司第十三研究所，未经中国电子科技集团公司第十三研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201710400399.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种可提高焊接质量的DBC结构
- 下一篇：光电探测器的封装结构
- 同类专利
- 专利分类
