[发明专利]正电荷修饰介孔二氧化硅的制备方法及2,4-二氯苯氧基乙酸盐的负载方法有效
| 申请号： | 201710400160.9 | 申请日： | 2017-05-31 |
| 公开（公告）号： | CN107691437B | 公开（公告）日： | 2020-08-14 |
| 发明（设计）人： | 曹立冬;黄啟良;李凤敏;曹冲 | 申请（专利权）人： | 中国农业科学院植物保护研究所 |
| 主分类号： | A01N25/08 | 分类号： | A01N25/08;A01N39/04;A01P13/00 |
| 代理公司： | 北京冠榆知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 11666 | 代理人： | 魏振柯 |
| 地址： | 100193 北京市海淀区圆*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开正电荷修饰介孔二氧化硅的制备方法及2,4‑二氯苯氧基乙酸盐的负载方法，包括如下步骤(1‑1)将十六烷基三甲基溴化铵溶于水中，搅拌，加入氢氧化钠溶液，加热；(1‑2)向步骤(1‑1)得到的溶液中加入正硅酸乙酯，搅拌；(1‑3)将步骤(1‑2)中得到的混合溶液离心，将离心后得到的固体干燥；(1‑4)将步骤(1‑3)中得到的白色固体物煅烧，得到介孔二氧化硅材料；(1‑5)将步骤(1‑4)中得到的介孔二氧化硅分散于有机溶剂中，并向有机溶剂中加入有机盐，加热回流，离心后将所得固体干燥即得正电荷修饰介孔二氧化硅。本发明通过MSN表面季铵盐化，进行正电荷修饰，通过静电作用调控2,4‑D钠盐的负载和释放，同时降低土壤的淋溶，释放具有明显的环境因子(pH、温度和离子强度)敏感性。 | ||
| 搜索关键词： | 正电荷 修饰 二氧化硅 制备 方法 氯苯 乙酸 负载 | ||
【主权项】：
正电荷修饰介孔二氧化硅的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：(1‑1)将十六烷基三甲基溴化铵溶于水中，搅拌，加入氢氧化钠溶液，加热；(1‑2)向步骤(1‑1)得到的溶液中加入正硅酸乙酯，搅拌；(1‑3)将步骤(1‑2)中得到的混合溶液离心，将离心后得到的固体干燥；(1‑4)将步骤(1‑3)中得到的白色固体物煅烧，得到介孔二氧化硅材料；(1‑5)将步骤(1‑4)中得到的介孔二氧化硅分散于有机溶剂中，并向有机溶剂中加入有机盐，加热回流，离心后将所得固体干燥即得正电荷修饰介孔二氧化硅。
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