[发明专利]激光退火方法及激光退火系统有效
| 申请号： | 201710398296.0 | 申请日： | 2017-05-31 |
| 公开（公告）号： | CN107275198B | 公开（公告）日： | 2020-03-10 |
| 发明（设计）人： | 杨依辉 | 申请（专利权）人： | 昆山国显光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/268 | 分类号： | H01L21/268 |
| 代理公司： | 北京三聚阳光知识产权代理有限公司 11250 | 代理人： | 张乐乐 |
| 地址： | 215300 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种激光退火方法及激光退火系统，激光退火方法包括如下步骤：对基板上非晶硅层不同位置处的厚度进行检测；根据非晶硅层的厚度与激光能量值之间的关系，选取与该厚度对应的预设能量值；采用预设能量值的激光照射基板上非晶硅层的相应位置，非晶硅层高温熔融形成多晶硅层。激光退火系统包括激光退火室、设置在激光退火室内的光学检测器以及激光退火装置。基板上的非晶硅层在激光退火过程中，先根据非晶硅层不同位置处的厚度，来选取不用位置处对应的激光能量值，使得非晶硅层不同位置处被所需的能量值激光照射，进而使得非晶硅层不同位置处结晶化程度保持均匀，确保每一片基板上的非晶硅层都能够形成高品质的多晶硅层。 | ||
| 搜索关键词： | 激光 退火 方法 系统 | ||
【主权项】：
一种激光退火方法，其特征在于，包括如下步骤：S1：对基板上非晶硅层上不同位置处的厚度进行检测；S2：根据非晶硅层的厚度与激光能量值之间的关系，选取与该厚度对应的预设能量值；S3：采用所述预设能量值的激光照射所述基板上非晶硅层的相应位置，使得非晶硅层高温熔融形成多晶硅层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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