[发明专利]半导体晶片位错密度的检测方法在审
| 申请号： | 201710391326.5 | 申请日： | 2017-05-27 |
| 公开（公告）号： | CN107356606A | 公开（公告）日： | 2017-11-17 |
| 发明（设计）人： | 孙聂枫;韩应宽;孙同年;李晓岚;付莉杰;王书杰;王阳 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第十三研究所 |
| 主分类号： | G01N21/95 | 分类号： | G01N21/95 |
| 代理公司： | 石家庄国为知识产权事务所13120 | 代理人： | 赵宝琴 |
| 地址： | 050051 *** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体晶片位错密度的检测方法，涉及半导体材料检测领域。本发明包括以下步骤将腐蚀好的样品放在白光干涉仪上进行扫描，设定扫描上下边距及扫描点个数；逐个图像扫描对每个图像进行微调，使其干涉条纹更加清晰明显；进行数据自动统计自动识别出位错腐蚀坑，并自动统计出各个图像中位错腐蚀坑的数量，计算出位错密度；生成测试报告位错密度测量报告中应包括视场数目、放大倍数、晶片位错密度分布图以及所有视场的位错计数、位错密度，半导体晶片的位错密度为所有视场的位错密度的平均值。本发明能实现位错密度的自动统计和分析，具有扫描精度高、分析速度快等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 晶片 密度 检测 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体晶片位错密度的检测方法，其特征在于，包括以下步骤：1）、将腐蚀好的样品放在白光干涉仪上进行扫描，设定扫描上下边距及扫描点个数；2）、逐个图像扫描：对每个图像进行微调，使其干涉条纹更加清晰明显；3）、进行数据自动统计：自动识别出位错腐蚀坑，并自动统计出各个图像中位错腐蚀坑的数量，计算出位错密度；4）、生成测试报告：位错密度测量报告中应包括视场数目、放大倍数、晶片位错密度分布图以及所有视场的位错计数、位错密度，半导体晶片的位错密度为所有视场的位错密度的平均值。
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