[发明专利]半导体制作工艺在审
| 申请号： | 201710377577.8 | 申请日： | 2017-05-25 |
| 公开（公告）号： | CN108946656A | 公开（公告）日： | 2018-12-07 |
| 发明（设计）人： | 魏国智;陈翁宜;李世伟 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开一种半导体制作工艺，包括以下步骤。提供晶片，其中晶片具有正面与背面，且在晶片的正面上具有半导体元件。在晶片的正面上形成保护层，其中保护层覆盖半导体元件，且保护层的材料包括光致抗蚀剂材料。对保护层进行表面硬化处理制作工艺。对晶片的背面进行第一图案化制作工艺。上述半导体制作工艺在进行晶背制作工艺时可有效地对晶片的正面进行保护。上述半导体制作工艺在进行晶背制作工艺时可有效地对晶片的正面进行保护。 | ||
| 搜索关键词： | 晶片 半导体制作工艺 制作工艺 保护层 半导体元件 有效地 晶背 背面 光致抗蚀剂材料 表面硬化处理 图案化 覆盖 | ||
【主权项】：
1.一种半导体制作工艺，其特征在于，包括：提供晶片，其中所述晶片具有正面与背面，且在所述晶片的所述正面上具有半导体元件；在所述晶片的所述正面上形成保护层，其中所述保护层覆盖所述半导体元件，且所述保护层的材料包括光致抗蚀剂材料；对所述保护层进行表面硬化处理制作工艺；以及对所述晶片的所述背面进行第一图案化制作工艺。
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