[发明专利]一种酞菁染料敏化的CsPbBr3光伏电池及其制造方法有效
| 申请号： | 201710365485.8 | 申请日： | 2017-05-22 |
| 公开（公告）号： | CN107123741B | 公开（公告）日： | 2019-12-10 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 周孝银 |
| 主分类号： | H01L51/46 | 分类号： | H01L51/46;H01L51/42;H01L51/48 |
| 代理公司： | 33261 杭州橙知果专利代理事务所(特殊普通合伙) | 代理人： | 贺心韬 |
| 地址： | 317205 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及无机钙钛矿CsPbBr3薄膜光伏电池技术领域，具体涉及一种酞菁染料敏化的CsPbBr3薄膜光伏电池及其制造方法。所述的酞菁染料敏化的CsPbBr3光伏电池包括透明导电基底、空穴传输层、CsPbBr3薄膜光敏层、染料敏化层、电子传输层、电极修饰层和反射电极所组成。本发明能够提高CsPbBr3光伏电池的能量转换效率和寿命。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 染料 cspbbr3 电池 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种酞菁染料敏化的CsPbBr3光伏电池，其特征在于，包括透明导电基底、空穴传输层、CsPbBr3薄膜光敏层、染料敏化层、电子传输层、电极修饰层和反射电极所组成；所述的染料敏化层为酞菁染料，染料敏化层为SubPc、ClAlPc、SubNc中的一种，所述的染料敏化层形成在CsPbBr3薄膜光敏层之上，厚度10-20nm，所述的CsPbBr3薄膜光敏层为CsPbBr3的多晶，形成在空穴传输层之上；所述的CsPbBr3薄膜光敏层厚度100-300nm，CsPbBr3薄膜光敏层的表面均方根粗糙度为20-40nm，所述的电子传输层形成在染料敏化层之上；所述的电子传输层为C60、C70、PCBM中的一种，电子传输层厚度为20-50nm。/n
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