[发明专利]具有充电平衡设计的功率半导体器件

摘要

本公开的实施例涉及具有充电平衡设计的功率半导体器件。形成具有竖直间隔开的第一表面和第二表面的半导体本体。形成从半导体本体的第一表面向第二表面竖直延伸的栅极沟槽。在栅极沟槽中形成栅极电极和栅极电介质。栅极电介质将栅极电极与相邻的半导体材料电绝缘。形成从栅极沟槽的底部向半导体本体的第二表面竖直延伸的掺杂超结区域。掺杂超结区域包括从第一半导体层的第一表面竖直延伸并且彼此直接邻接的第一掺杂柱区、第二掺杂柱区和第三掺杂柱区。第二柱区在横向方向上居于第一柱区与第三柱区中间并且具有与第一和第三柱区相反的传导类型。

主权项

一种形成竖直沟槽栅极晶体管的方法，包括：形成包括竖直间隔开的第一表面和第二表面的半导体本体、从所述半导体本体的第一表面向第二表面竖直延伸的栅极沟槽、布置在所述栅极沟槽中的栅极电极、以及布置在所述栅极沟槽中并且将所述栅极电极与相邻的半导体材料电绝缘的栅极电介质；以及形成从所述栅极沟槽的底部向所述半导体本体的第二表面竖直延伸的掺杂超结区域，所述掺杂超结区域包括从所述第一半导体层的第一表面竖直延伸并且彼此直接邻接的第一掺杂柱区、第二掺杂柱区和第三掺杂柱区，所述第二柱区在横向方向上居于所述第一柱区与所述第三柱区中间并且具有与所述第一柱区和所述第三柱区相反的传导类型。