[发明专利]一种Nandflash阵列的文件信息存储方法有效

专利信息
申请号: 201710356958.8 申请日: 2017-05-19
公开(公告)号: CN107193751B 公开(公告)日: 2020-12-08
发明(设计)人: 尹超;赵鑫鑫;李朋;姜凯 申请(专利权)人: 浪潮集团有限公司
主分类号: G06F12/02 分类号: G06F12/02
代理公司: 济南信达专利事务所有限公司 37100 代理人: 孙晶伟
地址: 250100 山东*** 国省代码: 山东;37
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明公开一种Nandflash阵列的文件信息存储方法,涉及高速大容量存储领域,通过NOR FLASH控制器从指定的NOR FLASH地址读取记录文件个数信息,加载到Nandflash阵列控制器,根据文件记录个数加载最后一个文件的信息到Nandflash阵列控制器,Nandflash阵列控制器根据最后一个文件的信息确定下一次记录的起始信息,当Nandflash阵列控制器接收到开始记录命令,通过得到的最后一个文件的起始信息开始流水存储,记录完成,NOR FLASH控制器更新文件个数,同时根据当前的文件个数信息将本次记录的起始信息写到NOR FLASH对应地址。
搜索关键词: 一种 nandflash 阵列 文件 信息 存储 方法
【主权项】:
暂无信息
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