[发明专利]以薄镍层作为阻挡层的铜镍锡微凸点结构及其制备方法在审
| 申请号： | 201710352929.4 | 申请日： | 2017-05-18 |
| 公开（公告）号： | CN107195605A | 公开（公告）日： | 2017-09-22 |
| 发明（设计）人： | 凌惠琴;王冬凡;胡安民;李明 | 申请（专利权）人： | 上海交通大学 |
| 主分类号： | H01L23/488 | 分类号： | H01L23/488;H01L21/60 |
| 代理公司： | 上海汉声知识产权代理有限公司31236 | 代理人： | 封喜彦,胡晶 |
| 地址： | 200240 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种以薄Ni层作为阻挡层的微凸点结构及其制备方法，该微凸点结构通过包括以下步骤的方法制备在有种子层上的硅片上喷涂光刻胶，经过图形曝光、显影，种子层上方形成小尺寸直径微孔结构样品；在铜电镀溶液中电镀形成一层导电铜柱，洗净吹干；在镍电镀溶液中快速电镀，在铜柱上方形成一层薄的镍金属层，洗净吹干；在锡电镀溶液中电镀，在镍层上方形成一层锡层，洗净吹干；用丙酮浸泡，洗去图形化后的光刻胶，即可。本发明的微凸点结构形成了稳定的铜镍锡三元合金相，能够减少凸点时效过程中金属间化合物和孔洞的生长，效果良好，可广泛用于各种高端电子制造领域。 | ||
| 搜索关键词： | 薄镍层 作为 阻挡 铜镍锡微凸点 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种以薄Ni层作为阻挡层的铜镍锡微凸点结构，其特征在于，包括具有种子层的硅片以及依次设置在所述硅片上的导电铜柱、镍金属阻挡层、锡柱层。
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