[发明专利]半导体装置有效
| 申请号： | 201710352700.0 | 申请日： | 2013-03-08 |
| 公开（公告）号： | CN107256856B | 公开（公告）日： | 2020-03-31 |
| 发明（设计）人： | 秦志康;斋藤隆幸;堀部裕史 | 申请（专利权）人： | 瑞萨电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/535 | 分类号： | H01L23/535;H01L21/60;H01L23/00 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 高培培;车文 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供半导体装置。半导体装置具备：半导体芯片，具有配置有第1金属结构及第2金属结构的主面，上述第2金属结构与上述第1金属结构相邻地配置；第1金属线，与上述半导体芯片的上述第1金属结构电连接；第2金属线，与上述半导体芯片的上述第2金属结构电连接；及密封体，对上述半导体芯片、上述第1金属线及上述第2金属线进行密封，其中，上述第2金属结构配置于配置上述第1金属结构的层中，在上述第1金属结构与上述第2金属结构之间形成有绝缘膜，在上述第1金属结构中，在俯视时，沿着上述第1金属结构的各边连续地形成有第1槽，并且在上述第2金属结构中，在俯视时，沿着上述第2金属结构的各边连续地形成有第2槽。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，具备：半导体芯片，具有配置有第1金属结构及第2金属结构的主面，上述第2金属结构与上述第1金属结构相邻地配置；第1金属线，与上述半导体芯片的上述第1金属结构电连接；第2金属线，与上述半导体芯片的上述第2金属结构电连接；及密封体，对上述半导体芯片、上述第1金属线及上述第2金属线进行密封，其中，上述第2金属结构配置于配置上述第1金属结构的层中，在上述第1金属结构与上述第2金属结构之间形成有绝缘膜，在上述第1金属结构中，在俯视时，沿着上述第1金属结构的各边连续地形成有第1槽，并且在上述第2金属结构中，在俯视时，沿着上述第2金属结构的各边连续地形成有第2槽。
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