[发明专利]一种红外LED及其制备方法有效
| 申请号： | 201710347362.1 | 申请日： | 2017-05-17 |
| 公开（公告）号： | CN107123712B | 公开（公告）日： | 2019-06-28 |
| 发明（设计）人： | 冉文方 | 申请（专利权）人： | 湛江通用电气有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/34 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 524000 广东省湛*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种红外LED及其制备方法，所述制备方法包括：选取单晶Si衬底；在所述单晶Si衬底上生长Ge外延层；利用激光再晶化工艺处理包括所述单晶Si衬底、所述Ge外延层的整个材料，得到晶化Ge层；对所述晶化Ge层掺杂形成P型晶化Ge层；在所述P型晶化Ge层上生长第一Ge阻挡层；在所述第一Ge阻挡层上生长GeSn层；在所述GeSn层上生长第二Ge阻挡层；在所述第二Ge阻挡层上生长Ge层并掺杂形成N型Ge层；在所述P型晶化Ge层及所述N型Ge层上分别引出电极。本发明提供的红外LED，与传统发光管相比，工艺简单、发光效率高、器件性能可靠。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 红外 led 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种红外LED的制备方法，其特征在于，包括：(a)选取单晶Si衬底；(b)在所述单晶Si衬底上生长Ge外延层；(c)利用激光再晶化工艺处理包括所述单晶Si衬底、所述Ge外延层的整个材料，得到晶化Ge层；(d)对所述晶化Ge层掺杂形成P型晶化Ge层；(e)在所述P型晶化Ge层上生长第一Ge阻挡层；(f)在所述第一Ge阻挡层上生长GeSn层；(g)在所述GeSn层上生长第二Ge阻挡层；(h)在所述第二Ge阻挡层上生长Ge层并掺杂形成N型Ge层；(i)在所述P型晶化Ge层及所述N型Ge层上分别引出电极。
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