[发明专利]一种衬底扩散片的制造工艺

摘要

本发明公开一种衬底扩散片的制造工艺，包括以下步骤S1选取单晶片，给每个单晶片刻上号码，以方便后面工艺的追溯性；S2将刻号后的单晶片放置氢、氧气环境中进行衬底氧化；S3在单晶片的非刻号面上进行匀胶、前烘和坚膜；S4将单晶片放置于纯氢氟酸溶液中，去除氧化层；S5将单晶片从纯氢氟酸溶液中取出，去除单晶片非刻号面的光刻胶，经过清洁处理后进行衬底磷预散；S6将单晶片进行衬底第二次氧化；S7将单晶片进行衬底第二次磷扩散；S8将单晶片放置于纯氢氟酸溶液中进行漂光；S9将漂光后单晶片的高阻面进行减薄和抛光，最后得到所需产品，本发明解决了现有技术中基材损耗大、硅片厚度均匀性差的技术问题。

主权项

一种衬底扩散片的制造工艺，其特征在于，是采用单面扩磷工艺来制造，包括以下步骤：步骤S1：选取单晶片，给每个单晶片刻上号码，为后面工艺步骤的追溯性提供条件；步骤S2：将刻号后的单晶片放置氢、氧气环境中进行衬底氧化；步骤S3：在单晶片的非刻号面上进行匀胶、前烘和坚膜；步骤S4：将单晶片放置于纯氢氟酸溶液中，去除单晶片刻号面的氧化层；步骤S5：将单晶片从纯氢氟酸溶液中取出，去除单晶片非刻号面的光刻胶，经过清洁处理后进行衬底磷预散；步骤S6：将完成衬底磷预散的单晶片进行衬底第二次氧化；步骤S7：将单晶片进行衬底第二次磷扩散；步骤S8：将单晶片放置于纯氢氟酸溶液中进行漂光；步骤S9：将漂光后单晶片的高阻面进行减薄和抛光，最后得到所需衬底扩散片。