[发明专利]形成用于半导体器件的纳米片堆叠件的方法有效
| 申请号： | 201710346507.6 | 申请日： | 2017-05-17 |
| 公开（公告）号： | CN107424929B | 公开（公告）日： | 2021-11-19 |
| 发明（设计）人： | 王维一;马克·S·罗德尔;博尔纳·J·奥布拉多维奇;达尔门达·雷迪·帕勒;洪俊顾 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/335 | 分类号： | H01L21/335;H01L29/775;H01L29/06;H01L29/165;B82Y10/00 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 刘灿强;尹淑梅 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供了一种形成用于半导体器件的纳米片堆叠件的方法，所述方法包括：在底层上形成多个牺牲层和至少一个沟道层的堆叠件，其中，牺牲层与底层接触，每个沟道层与牺牲层中的至少一个接触，牺牲层由SiGe形成，所述至少一个沟道层由Si形成；在所述堆叠件中形成至少一个源极/漏极沟槽区域以暴露SiGe牺牲层的表面和所述至少一个Si沟道层的表面；在湿氧或者臭氧和UV的环境中氧化SiGe牺牲层的暴露的表面和所述至少一个Si层的暴露的表面。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 用于 半导体器件 纳米 堆叠 方法 | ||
【主权项】：
一种形成用于半导体器件的纳米片堆叠件的方法，所述方法包括：在底层上形成多个牺牲层和至少一个沟道层的堆叠件，牺牲层与底层接触，每个沟道层与牺牲层中的至少一个接触，牺牲层由SiGe形成，所述至少一个沟道层由Si形成；在所述堆叠件中形成至少一个源极/漏极沟槽区域以暴露SiGe牺牲层的表面和所述至少一个Si沟道层的表面；以及在湿氧或者臭氧和UV的环境中氧化SiGe牺牲层的暴露的表面和所述至少一个Si层的暴露的表面。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
