[发明专利]一种改善熔体抽拉非晶微丝巨磁阻抗效应的调制方法有效
| 申请号： | 201710346423.2 | 申请日： | 2017-05-17 |
| 公开（公告）号： | CN107254709A | 公开（公告）日： | 2017-10-17 |
| 发明（设计）人： | 陈东明;孙剑飞;王桂强;吴志颖 | 申请（专利权）人： | 渤海大学 |
| 主分类号： | C25F3/16 | 分类号： | C25F3/16 |
| 代理公司： | 锦州辽西专利事务所(普通合伙)21225 | 代理人： | 王佳佳 |
| 地址： | 121000 辽*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 一种改善熔体抽拉非晶微丝巨磁阻抗效应的调制方法，该方法是对熔体抽拉非晶微丝进行电解抛光，工艺参数为：阴极电流密度为100A/dm2～150A/dm2，电解抛光时间为360s～600s，电解液温度为45℃，对处理后的非晶微丝进行磁阻抗输出稳定性测试。该方法工艺简单，成本低，可操作性强，效率高等优点，可明显改善熔体抽拉非晶微丝的巨磁阻抗特性，它解决了现有调制工艺复杂产品阻抗值小的特点，并实现了对丝材的表面圆化处理，改善了熔体抽拉非晶微丝的截面圆整度与表面粗糙度，尤其适用于对弱磁场探测等具有高灵敏度的传感器使用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 改善 熔体抽拉非晶微丝巨 磁阻 效应 调制 方法 | ||
【主权项】：
一种改善熔体抽拉非晶微丝巨磁阻抗效应的调制方法，其特征是：具体步骤如下：(1)选取直径35μm，长度为22mm的熔体抽拉Co68.15Fe4.35Si12.25B13.75Nb1Cu0.5非晶微丝，将所述非晶微丝一端固定于平口铜质夹具，另一端浸入电解液中进行电解抛光处理，其中，阳极材料为所述非晶微丝，阴极材料为99.99％纯铜片，电流密度为100A/dm2～150A/dm2，电解抛光时间为360s～600s，电解液温度为45℃；(2)将处理后的非晶微丝在零磁屏蔽空间内进行磁阻抗性能测试，即完成一种改善熔体抽拉非晶微丝巨磁阻抗效应的调制方法。
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