[发明专利]显示面板、显示面板的制程和显示装置有效
| 申请号： | 201710342078.5 | 申请日： | 2017-05-12 |
| 公开（公告）号： | CN107195636B | 公开（公告）日： | 2020-08-18 |
| 发明（设计）人： | 卓恩宗;田轶群 | 申请（专利权）人： | 惠科股份有限公司;重庆惠科金渝光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/12 | 分类号： | H01L27/12;H01L21/77 |
| 代理公司： | 深圳市百瑞专利商标事务所(普通合伙) 44240 | 代理人： | 邢涛 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市宝安区石岩街道水田村民*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种显示面板、显示面板的制程和显示装置，其中，显示面板的制程包括：在基板上铺设纳米氧化硅，形成纳米氧化硅层；在所述纳米氧化硅层上铺设非晶硅，形成非晶硅层；通过激光照射所述非晶硅层，使得所述非晶硅层再结晶形成多晶硅层；在所述多晶硅层上铺设栅极氧化物，形成栅极氧化物层。本发明通过激光照射非晶硅层，使得非晶硅层再结晶形成多晶硅层，从而降低了激光照射能量，降低成本。 | ||
| 搜索关键词： | 显示 面板 显示装置 | ||
【主权项】：
一种显示面板的制程，其特征在于，所述制程包括以下步骤：在基板上铺设纳米氧化硅，形成纳米氧化硅层；在所述纳米氧化硅层上铺设非晶硅，形成非晶硅层；通过能量小于或等于250兆焦耳的激光照射所述非晶硅层，使得所述非晶硅层再结晶形成多晶硅层；在所述多晶硅层上铺设栅极氧化物，形成栅极氧化物层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于惠科股份有限公司;重庆惠科金渝光电科技有限公司，未经惠科股份有限公司;重庆惠科金渝光电科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201710342078.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
