[发明专利]适用于峰值电流模控制降压变换器的自适应斜坡补偿电路

摘要

适用于峰值电流模控制降压变换器的自适应斜坡补偿电路，属于电子电路技术领域。直接采样降压变换器开关节点SW处的电压，然后通过两次滤波，得到一个与降压变换器输出电压Vo成比例的直流量作为运算放大器的正向输入电压，运算放大器将其负向输入端钳位至与正向输入端相同的电压，也即第五电阻R5上的压降；再经过第一PMOS管MP1和第二PMOS管MP2构成的电流镜，使得第三电容C3的充电电流与流经第五电阻R5的电流成比例，第六电阻R6上的压降大小等于第三电容C3的电压，且第三PMOS管MP3和第四PMOS管MP4构成电流镜，使得流经第七电阻R7的电流与流经第六电阻R6的电流成比例，最终得到第七电阻R7的压降为自适应斜坡补偿电压，与降压变换器输出电压Vo成比例。

主权项

1.适用于峰值电流模控制降压变换器的自适应斜坡补偿电路，包括第一电阻(R1)、第二电阻(R2)、第三电阻(R3)、第四电阻(R4)、第五电阻(R5)、第六电阻(R6)、第七电阻(R7)、第一电容(C1)、第二电容(C2)、第三电容(C3)、第一PMOS管(MP1)、第二PMOS管(MP2)、第三PMOS管(MP3)、第四PMOS管(MP4)、第一NMOS管(MN1)、第二NMOS管(MN2)、第一三极管(Q1)、第二三极管(Q2)、第三三极管(Q3)和运算放大器(OP)，第一电阻(R1)和第一电容(C1)串联，第一电阻(R1)的另一端接所述峰值电流模控制的降压变换器的开关节点(SW)，第一电容(C1)的另一端接地；第二电阻(R2)和第三电阻(R3)串联，第二电阻(R2)的另一端接第一电阻(R1)和第一电容(C1)的串联点，第三电阻(R3)的另一端接地；第四电阻(R4)和第二电容(C2)串联，其串联点接运算放大器(OP)的正向输入端，第四电阻(R4)的另一端接第二电阻(R2)和第三电阻(R3)的串联点，第二电容(C2)的另一端接地；运算放大器(OP)的负向输入端接第一NMOS管(MN1)的源极，其输出端接第一NMOS管(MN1)的栅极，第五电阻(R5)接在第一NMOS管(MN1)的源极和地之间；第一PMOS管(MP1)的栅漏短接并连接第一NMOS管(MN1)的漏极和第二PMOS管(MP2)的栅极，第二PMOS管(MP2)的漏极连接第一三极管(Q1)的集电极和第三三极管(Q3)的基极；第一三极管(Q1)的基极连接第二三极管(Q2)的基极和第三三极管(Q3)的发射极，第二NMOS管(MN2)的漏极接第一三极管(Q1)的发射极，其栅极接时钟信号(CLK)，其源极接地，第三电容(C3)接在第二NMOS管(MN2)的漏极和源极之间；所述时钟信号(CLK)的频率与所述峰值电流模控制的降压变换器的频率相同；第三PMOS管(MP3)的栅漏互连并连接第四PMOS管(MP4)的栅极和第二三极管(Q2)的集电极，第二三极管(Q2)的发射极通过第六电阻(R6)后接地，第四PMOS管(MP4)的漏极通过第七电阻(R7)后接地，第四PMOS管(MP4)的漏极作为所述自适应斜坡补偿电路的输出端；第一PMOS管(MP1)、第二PMOS管(MP2)、第三PMOS管(MP3)、第四PMOS管(MP4)的源极和第三三极管(Q3)的集电极接电源电压(VCC)；所述第一三极管(Q1)、第二三极管(Q2)和第三三极管(Q3)为NPN型三极管。