[发明专利]高纯度ZnO/BiVO4异质核壳微米带在光电催化中的应用有效

专利信息
申请号: 201710341238.4 申请日: 2017-07-17
公开(公告)号: CN107316748B 公开(公告)日: 2019-02-01
发明(设计)人: 侯慧林;王霖;郑金桔;杨为佑 申请(专利权)人: 宁波工程学院
主分类号: H01G9/20 分类号: H01G9/20
代理公司: 宁波市鄞州盛飞专利代理事务所(特殊普通合伙) 33243 代理人: 洪珊珊
地址: 315211 浙*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 发明涉及一种高纯度ZnO/BiVO4异质核壳微米带在光电催化中的应用,属于光电催化技术领域。所述纳米带的主要组成元素为Zn、Bi、V、O,Zn、O元素在微米带中的主要表现形式为ZnO,Bi、V、O元素在微米带中的表现形式为BiVO4,ZnO/BiVO4异质核壳微米带的结构为BiVO4纳米颗粒核与ZnO微米带壳。高纯度ZnO/BiVO4异质核壳微米带具有较高的高效性和稳定性,可有效地应用在光电催化。本发明使用二乙基锌与水强烈发生反应,生成ZnO,通过改变原子层沉积系统内的循环次数有效调控ZnO/BiVO4异质核壳微米带的结构与组分,使其具有核壳结构,且制备工艺简单可控,具有很好的重复性。
搜索关键词: 纯度 zno bivo4 异质核壳 微米 光电 催化 中的 应用
【主权项】:
1.高纯度ZnO/BiVO4异质核壳微米带在光电催化中的应用,其特征在于,所述微米带的主要组成元素为Zn、Bi、V、O,Zn、O元素在微米带中的主要表现形式为ZnO,Bi、V、O元素在微米带中的表现形式为BiVO4,ZnO/BiVO4异质核壳微米带的结构为BiVO4纳米颗粒核与ZnO微米带壳;所述的应用为:将ZnO/BiVO4异质核壳微米带先超声分散,然后用旋涂仪涂覆到FTO导电玻璃的导电面上,并置于马弗炉中进行退火处理;以退火处理后ZnO/BiVO4异质核壳微米带为工作电极,以铂片为对电极,Ag/AgCl为参比电极,在光照射下发生催化反应。
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