[发明专利]薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板、显示装置有效
| 申请号： | 201710339635.8 | 申请日： | 2017-05-15 |
| 公开（公告）号： | CN107195549B | 公开（公告）日： | 2020-07-03 |
| 发明（设计）人： | 宫奎;张俊;许徐飞 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司;合肥京东方光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/786;H01L27/12 |
| 代理公司： | 北京风雅颂专利代理有限公司 11403 | 代理人： | 李莎;李弘 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种薄膜晶体管的制作方法，所述薄膜晶体管包括源极和有源区，所述有源区的制作方法包括：形成有源层；在所述有源层上形成光刻胶掩膜层，所述光刻胶掩膜层包括光刻胶半保留区和光刻胶完全保留区，所述光刻胶半保留区形成在所述光刻胶完全保留区的与所述源极的轴线垂直的两侧；以所述光刻胶掩膜层为抗刻蚀层，刻蚀所述有源层，得到预成形有源区；去除所述光刻胶半保留区；以所述光刻胶完全保留区为抗刻蚀层，刻蚀所述预成形有源区，得到所述有源区。本发明还公开了一种薄膜晶体管、阵列基板和显示装置。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 及其 制作方法 阵列 显示装置 | ||
【主权项】：
一种薄膜晶体管的制作方法，所述薄膜晶体管包括源极和有源区，其特征在于，所述有源区的制作方法包括：形成有源层；在所述有源层上形成光刻胶掩膜层，所述光刻胶掩膜层包括光刻胶半保留区和光刻胶完全保留区，所述光刻胶半保留区形成在所述光刻胶完全保留区的与所述源极的轴线垂直的两侧；以所述光刻胶掩膜层为抗刻蚀层，刻蚀所述有源层，得到预成形有源区；去除所述光刻胶半保留区；以所述光刻胶完全保留区为抗刻蚀层，刻蚀所述预成形有源区，得到所述有源区。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
