[发明专利]半导体器件及制造方法在审
| 申请号： | 201710333427.7 | 申请日： | 2017-05-12 |
| 公开（公告）号： | CN107195693A | 公开（公告）日： | 2017-09-22 |
| 发明（设计）人： | 单亚东;谢刚;张伟;李一枝 | 申请（专利权）人： | 广微集成技术（深圳）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L29/06;H01L29/36;H01L21/329 |
| 代理公司： | 工业和信息化部电子专利中心11010 | 代理人： | 焉明涛 |
| 地址： | 518054 广东省深圳市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体器件及制造方法，所述半导体器件包括有源区域和终端区域；所述有源区域包括外延层和在所述外延层上形成的N型区域；所述N型区域上光刻有多个沟槽结构。本发明中半导体器件及制造方法，有效降低现有技术中沟槽栅肖特基二极管的导通压降，其外延工艺简单，精度易于控制；可以实现器件终端耐压大于元胞电压，增强了器件的鲁棒性。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，其特征在于，所述器件包括有源区域、终端区域、外延层和在所述外延层上形成的N型区域；所述N型区域上排列设置有多个沟槽结构，其中靠近所述N型区域边缘的一沟槽所在区域为所述终端区域，其余沟槽所在区域为所述有源区域。
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