[发明专利]一种吸片装置有效
申请号: | 201710330647.4 | 申请日: | 2017-05-11 |
公开(公告)号: | CN108878338B | 公开(公告)日: | 2020-10-13 |
发明(设计)人: | 冯祥雷 | 申请(专利权)人: | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683 |
代理公司: | 北京思创毕升专利事务所 11218 | 代理人: | 孙向民;廉莉莉 |
地址: | 100176 北京市大*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明提出了一种吸片装置。该装置包括第一板和第二板,第一板为圆形板,其上设有抽气口,抽气口用于与真空产生装置连接;第二板的外周为圆形,第二板的第一表面设有向内部凹陷的环形凹槽,环形凹槽与第一板配合形成抽气室,抽气室与抽气口连通;第二板的第二表面中心设有向内部凹陷的圆形缓冲抽气腔,缓冲抽气腔的直径大于所述环形凹槽的内径并小于环形凹槽的外径,并且缓冲抽气腔的深度小于第二板的厚度与环行凹槽的深度之差;在抽气室和缓冲抽气腔之间设置有第一抽气孔,第一抽气孔将缓冲抽气腔与抽气室连通。本发明通过设置缓冲抽气腔,保证了第一抽气孔产生的吸附力不直接作用于晶片上,使得晶片的变形量小,不易形成压伤。 | ||
搜索关键词: | 一种 装置 | ||
【主权项】:
1.一种吸片装置,其特征在于,所述装置包括:第一板和第二板,所述第一板为圆形板,其上设有抽气口,所述抽气口用于与真空产生装置连接;所述第二板的外周为圆形,所述第二板的第一表面设有向内部凹陷的环形凹槽,所述环形凹槽与所述第一板配合形成抽气室,所述抽气室与所述抽气口连通;所述第二板的第二表面中心设有向内部凹陷的圆形缓冲抽气腔,所述缓冲抽气腔的直径大于所述环形凹槽的内径并小于环形凹槽的外径,并且所述缓冲抽气腔的深度小于第二板的厚度与所述环行凹槽的深度之差;在所述抽气室和所述缓冲抽气腔之间设置有第一抽气孔,所述第一抽气孔将所述缓冲抽气腔与所述抽气室连通。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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