[发明专利]一种NOR型阻变存储器及制备方法在审
| 申请号： | 201710329223.6 | 申请日： | 2017-05-11 |
| 公开（公告）号： | CN108878644A | 公开（公告）日： | 2018-11-23 |
| 发明（设计）人： | 许毅胜;熊涛;刘钊;舒清明 | 申请（专利权）人： | 上海格易电子有限公司;北京兆易创新科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 孟金喆 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新区张*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明实施例提供了一种NOR型阻变存储器及制备方法，包括：自下而上多个层叠设置的第一电极，第一电极之间设置有层间介质层，层间介质层延伸至第一电极的外侧，并包裹多个第一电极；贯穿多个层叠设置，以及层间介质层的至少一个第一通孔；第一通孔的孔壁上设置有阻变材料；设置在第一通孔内，且由阻变材料包裹的第二电极，第二电极与对应的字线电连接；本发明实施例提供了一种NOR型阻变存储器及制备方法，通过设置下电极包裹阻变材料，阻变材料与上电极包裹的结构，来实现数据的存储，可以制造出集成度更高的存储器，且制备工艺简单，成本降低。 | ||
| 搜索关键词： | 第一电极 阻变材料 层间介质层 阻变存储器 通孔 制备 层叠设置 第二电极 存储器 电极包裹 制备工艺 集成度 下电极 字线电 孔壁 存储 贯穿 延伸 制造 | ||
【主权项】：
1.一种NOR型阻变存储器，其特征在于，包括：自下而上多个层叠设置的第一电极，所述第一电极之间设置有层间介质层，所述层间介质层延伸至所述第一电极的外侧，并包裹多个所述第一电极；贯穿所述多个层叠设置，以及所述层间介质层的至少一个第一通孔，所述第一通孔的孔壁上设置有阻变材料；设置在所述第一通孔内，且由所述阻变材料包裹的第二电极，所述第二电极与对应的字线电连接；与所述第一电极一一对应，且设置在所述层间介质层内的第二通孔，所述第二通孔内形成有位线，所述位线与对应的第一电极电连接。
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