[发明专利]一种微等离子体刻蚀加工装置及方法有效
申请号: | 201710326311.0 | 申请日: | 2017-05-10 |
公开(公告)号: | CN107195569B | 公开(公告)日: | 2019-07-19 |
发明(设计)人: | 黄永安;董必扬;叶冬;吴昊 | 申请(专利权)人: | 华中科技大学 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/3065 |
代理公司: | 华中科技大学专利中心 42201 | 代理人: | 曹葆青;李智 |
地址: | 430074 湖北*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | 本发明属于半导体器件相关技术领域,其公开了一种微等离子体刻蚀加工装置,所述微等离子体刻蚀加工装置包括第一运动机构、第二运动机构及电喷印喷头,所述电喷印喷头连接于所述第一运动机构;所述微等离子体刻蚀加工装置还包括单针式等离子体喷头及扫描式等离子体喷头;所述单针式等离子体喷头及所述扫描式等离子体喷头之一可拆卸地连接于所述第二运动机构上,所述第二运动机构带动所述单针式等离子体喷头或者所述扫描式等离子体喷头进行移动,进而采用直写式或者掩膜式对石墨烯薄膜进行图形化加工。本发明还涉及微等离子刻蚀加工方法。上述的微等离子体刻蚀加工装置可同时实现直写式及掩膜式,依工况选择直写式或者掩膜式,提高了效率及精度。 | ||
搜索关键词: | 一种 等离子体 刻蚀 加工 装置 方法 | ||
【主权项】:
1.一种微等离子体刻蚀加工装置,所述微等离子体刻蚀加工装置包括第一运动机构、第二运动机构及电喷印喷头,其特征在于:所述第一运动机构及所述第二运动机构间隔设置,所述电喷印喷头连接于所述第一运动机构,所述第一运动机构为两轴机构,其用于带动所述电喷印喷头左右及前后移动;所述第二运动机构为三轴运动机构;所述微等离子体刻蚀加工装置还包括卷到卷机构、单针式等离子体喷头及扫描式等离子体喷头,所述卷到卷机构位于所述第一运动机构及所述第二运动机构的下方,其用于带动制备有石墨烯薄膜的柔性衬底移动,所述电喷印喷头采用电流体喷印技术在所述石墨烯薄膜上制备掩膜层;所述单针式等离子体喷头及所述扫描式等离子体喷头两者之一可拆卸地连接于所述第二运动机构上,所述第二运动机构带动所述单针式等离子体喷头或者所述扫描式等离子体喷头进行前后、左右、上下移动,进而采用直写式或者掩膜式对所述石墨烯薄膜进行图形化加工。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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