[发明专利]半导体结构及其形成方法有效
| 申请号： | 201710325044.5 | 申请日： | 2017-05-10 |
| 公开（公告）号： | CN108878643B | 公开（公告）日： | 2021-09-03 |
| 发明（设计）人： | 李岱萤;吴昭谊;林榆瑄 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 一种半导体结构包括一存储结构。该存储结构包括一存储元件、一第一阻障层、和一第二阻障层。存储元件包括氧氮化钛。第一阻障层包括硅和氧化硅之中至少一者。第一阻障层设置在存储元件上。第二阻障层包括钛和氧化钛之中至少一者。第二阻障层设置在第一阻障层上。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体结构，包括：一存储结构，包括：一存储元件，包括氧氮化钛；一第一阻障层，包括硅和氧化硅之中至少一者，该第一阻障层设置在该存储元件上；以及一第二阻障层，包括钛和氧化钛之中至少一者，该第二阻障层设置在该第一阻障层上。
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