[发明专利]具有可调整临界电压的高压耗尽型MOS元件及其制造方法

摘要

一种具有可调整临界电压的高压耗尽型MOS元件及其制造方法，该具有可调整临界电压的高压耗尽型MOS元件包含:第一导电型阱区；第二导电型沟道区，用以于非耗尽状态下使高压耗尽型MOS元件导通操作，且于耗尽状态下使高压耗尽型MOS元件不导通操作；第二导电型连接区，邻接于第二型沟道区；第一导电型栅极，用以控制高压耗尽型MOS元件的导通与不导通；第二导电型轻掺杂扩散区，邻接于第二导电型沟道区；第二导电型源极；第二导电型漏极，不与第一导电型栅极相邻接。其中第一导电型栅极具有第一导电型或/及第二导电型的杂质掺杂，且第一导电型栅极的净掺杂浓度根据目标临界电压而决定。

主权项

1.一种具有可调整临界电压的高压空乏型金属氧化物半导体MOS元件形成于一半导体基板，其中该半导体基板，于一纵向上，具有相对的一上表面与一下表面，其特征在于，该高压空乏型MOS元件包含：一第一导电型阱，形成于该半导体基板中，且于该纵向上，位于该上表面下方并接触于该上表面；一第二导电型沟道区，形成于该第一导电型阱中，且于该纵向上，位于该上表面下方并接触于该上表面，其中当该第二导电型沟道区于一非空乏状态下，该高压空乏型MOS元件导通操作，且于一空乏状态下，该高压空乏型MOS元件不导通操作；一第二导电型连接区，形成于该第一导电型阱中，且于该纵向上，位于该上表面下方并接触于该上表面，且于该横向上，邻接于该第二导电型沟道区；一第一导电型栅极，形成于该上表面上，于该纵向上，该第一导电型栅极堆叠并接触于该上表面上，且位于并接触该第二导电型信道区的至少一部分区域正上方，用以控制该第二导电型沟道区为该空乏状态或该非空乏状态；一第二导电型轻掺杂扩散区，形成于该第一导电型阱中，且于该纵向上，位于该上表面下方并接触于该上表面，并位于该第一导电型栅极的一间隔层正下方，且于该横向上，邻接于该第二导电型沟道区；一第二导电型源极，形成于该第一导电型阱中，且于该纵向上，位于该上表面下方并接触于该上表面，且于该横向上，邻接于该第二导电型轻掺杂扩散区；以及一第二导电型漏极，形成于该第一导电型阱中，且于该纵向上，位于该上表面下方并接触于该上表面，且于该横向上，邻接于该第二导电型连接区，且不与该第一导电型栅极相邻接；其中该第二导电型连接区的杂质掺杂浓度低于该第二导电型漏极的杂质掺杂浓度；其中该第一导电型栅极具有第一导电型或/及第二导电型的杂质掺杂，且该第一导电型栅极的一净掺杂浓度根据一目标临界电压而决定。