[发明专利]晶圆平坦度测量装置及晶圆平坦度测量系统在审
| 申请号： | 201710312102.0 | 申请日： | 2017-05-05 |
| 公开（公告）号： | CN108807204A | 公开（公告）日： | 2018-11-13 |
| 发明（设计）人： | 刘源;牛景豪 | 申请（专利权）人： | 上海新昇半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 201306 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种晶圆平坦度测量装置及晶圆平坦度测量系统，所述晶圆平坦度测量装置包括：测量腔室，所述测量腔室的顶部设有进气口，所述测量腔室的底部设有排气口；所述进气口与一气体管路相连通，适于向所述测量腔室内通入干燥气体；超平面镜组件，位于所述测量腔室内；所述超平面镜组件包括一对间隔排布的超平面镜，两个所述超平面镜的间距大于待检测晶圆的厚度；至少所述超平面镜的内侧面为超平面，两个所述超平面镜的超平面相平行。在本发明的晶圆平坦度测量装置中，通过不断向放置有超平面镜的测量腔室内通入干燥气体，可以确保超平面镜及置于测量腔室内的待测晶圆处于干燥状态，有效避免了冷凝水在超平面镜的超平面表面冷凝而对测量产生的不利影响。 | ||
| 搜索关键词： | 测量腔 平面镜 晶圆 平坦度测量装置 室内 进气口 平面镜组件 测量系统 干燥气体 超平面 平坦度 表面冷凝 干燥状态 间隔排布 气体管路 冷凝水 排气口 平面相 种晶 平行 测量 侧面 检测 | ||
【主权项】：
1.一种晶圆平坦度测量装置，其特征在于，所述晶圆平坦度测量装置包括：测量腔室，所述测量腔室的顶部设有进气口，所述测量腔室的底部设有排气口；所述进气口与一气体管路相连通，适于向所述测量腔室内通入干燥气体；超平面镜组件，位于所述测量腔室内；所述超平面镜组件包括一对间隔排布的超平面镜，两个所述超平面镜的间距大于待检测晶圆的厚度；至少所述超平面镜的内侧面为超平面，两个所述超平面镜的超平面相平行。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海新昇半导体科技有限公司，未经上海新昇半导体科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201710312102.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：测量半导体装置的横向扩散长度的方法
- 下一篇：半导体装置及其制造方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
