[发明专利]鳍式场效应管及其形成方法在审
| 申请号： | 201710311016.8 | 申请日： | 2017-05-05 |
| 公开（公告）号： | CN108807378A | 公开（公告）日： | 2018-11-13 |
| 发明（设计）人： | 周飞 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/088 | 分类号： | H01L27/088;H01L21/8234 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 吴敏 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种鳍式场效应管及其形成方法，所述形成方法包括：提供衬底，所述衬底包括第一器件区和第二器件区，且所述衬底上具有多个分立的鳍部；形成横跨所述鳍部的伪栅极；在所述伪栅极露出的鳍部上形成层间介质层，所述层间介质层露出所述伪栅极；去除所述伪栅极在所述层间介质层内形成第一开口；形成填充满所述第一开口的初始金属栅极；对所述初始金属栅极进行图形化处理，在所述初始金属栅极内形成第二开口，在沿垂直于衬底表面的方向上，所述第二开口贯穿所述初始金属栅极；在所述第一器件区形成第一金属栅极，在所述第二器件区形成第二金属栅极。本发明形成的鳍式场效应管电学性能得到提高。 | ||
| 搜索关键词： | 金属栅极 器件区 伪栅极 效应管 鳍式场 开口 衬底 鳍部 层间介质层 图形化处理 衬底表面 电学性能 介质层 分立 去除 横跨 垂直 贯穿 | ||
【主权项】：
1.一种鳍式场效应管的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底包括第一器件区和第二器件区，且所述衬底上具有多个分立的鳍部；形成横跨所述鳍部的伪栅极；在所述伪栅极露出的鳍部上形成层间介质层，所述层间介质层露出所述伪栅极；去除所述伪栅极，在所述层间介质层内形成第一开口；形成填充满所述第一开口的初始金属栅极；对所述初始金属栅极进行图形化处理，在所述初始金属栅极内形成第二开口，在沿垂直于衬底表面的方向上，所述第二开口贯穿所述初始金属栅极；在所述第一器件区形成第一金属栅极，在所述第二器件区形成第二金属栅极，所述第二开口位于所述第一金属栅极与所述第二金属栅极之间。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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