[发明专利]一种非米晶、纳米晶铁芯的高频变压器阻抗设计方法在审
| 申请号： | 201710310540.3 | 申请日： | 2017-05-05 |
| 公开（公告）号： | CN106991256A | 公开（公告）日： | 2017-07-28 |
| 发明（设计）人： | 赵景辉;张永江;宁秋平 | 申请（专利权）人： | 赵景辉;张永江;宁秋平 |
| 主分类号： | G06F17/50 | 分类号： | G06F17/50 |
| 代理公司： | 沈阳铭扬联创知识产权代理事务所(普通合伙)21241 | 代理人： | 屈芳 |
| 地址： | 118000 辽宁省丹*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明属于高频变压器阻抗设计技术领域，具体地来讲为一种非米晶、纳米晶铁芯的高频变压器阻抗设计方法。包括设置非米晶、纳米晶铁芯的高频变压器的等效电路设置非米晶、纳米晶铁芯的高频变压器的等效计算电路根据设置的高频变压器的等效电路与高频变压器的等效计算电路计算变压器阻抗与励磁电流。采用本发明的设计方法，设计的非米晶、纳米晶铁芯的高频变压器，经过验证，非常适合于对于后非米晶、纳米晶铁芯的高频变压器，通过试验验证设计的线圈阻抗等参数准确，经验证没有出现功耗加大和磁通饱和，变压器高温烧毁或破坏场效应开关管的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 非米晶 纳米 晶铁芯 高频变压器 阻抗 设计 方法 | ||
【主权项】：
一种非米晶、纳米晶铁芯的高频变压器阻抗设计方法，其特征在于，该方法包括：设置非米晶、纳米晶铁芯的高频变压器的等效电路：高频变压器的初级侧与输入交流高频电压源V1串联有初级漏磁电感L11后并联一初级分布电容C1，在高频变压器的初级侧并联初级励磁电感Lm，在高频变压器的次级侧串联一次级短路从初级检测电感L12后并联次级分布电容C2，次级分布电容C2并联次级负载电阻Rf，在负载电阻Rf与初级分布电容C1之间连接初、次级分布电容；设置非米晶、纳米晶铁芯的高频变压器的等效计算电路：输入交流高频电压源V1并联折算负载电阻Rz后串联折算电感L1，再与折算分布电容Cs并联后输出次级输出电压V2；根据设置的高频变压器的等效电路与高频变压器的等效计算电路计算变压器阻抗与励磁电流。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于赵景辉;张永江;宁秋平，未经赵景辉;张永江;宁秋平许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201710310540.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
