[发明专利]非易失性存储器装置及其刷新方法有效
| 申请号： | 201710307482.9 | 申请日： | 2017-05-04 |
| 公开（公告）号： | CN108806740B | 公开（公告）日： | 2020-11-24 |
| 发明（设计）人： | 河壬喆;张尚文 | 申请（专利权）人： | 华邦电子股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/406 | 分类号： | G11C11/406 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 马雯雯;臧建明 |
| 地址： | 中国台湾台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种非易失性存储器装置及其刷新方法。控制电路判断存储器区段中的存储单元的临界电压是否大于刷新读取参考电压且小于刷新写入验证参考电压，其中若存储单元的临界电压大于该刷新读取参考电压且小于刷新写入验证参考电压，判断存储单元需进行刷新。 | ||
| 搜索关键词： | 非易失性存储器 装置 及其 刷新 方法 | ||
【主权项】：
1.一种非易失性存储器装置，包括：非易失性存储器；以及控制电路，耦接所述非易失性存储器，在进行抹除操作时对非选择区块进行刷新，所述非选择区块包括多个存储器区段，各所述存储器区段包括多个存储单元，所述控制电路判断所述多个存储器区段的所述多个存储单元的临界电压是否大于刷新读取参考电压且小于刷新写入验证参考电压，其中若存储单元的临界电压大于所述刷新读取参考电压且小于所述刷新写入验证参考电压，判断所述存储单元需进行刷新。
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