[发明专利]半导体装置、半导体装置制造方法及特有信息的产生方法有效
| 申请号： | 201710306962.3 | 申请日： | 2017-05-04 |
| 公开（公告）号： | CN107547200B | 公开（公告）日： | 2020-04-10 |
| 发明（设计）人： | 矢野胜;王炳尧 | 申请（专利权）人： | 华邦电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H04L9/10 | 分类号： | H04L9/10;H01L27/02 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 王涛;汤在彦 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体装置、半导体装置制造方法及特有信息的产生方法，该半导体装置是具有改良特有信息产生功能的半导体装置。该半导体装置，基于一般的设计状况或制造状况下包括集成电路部(110)、输入出部(120)、以及用以产生半导体装置的特有信息的特有信息产生部(130)。特有信息产生部(130)，包括PUF用电路(132)、及码产生部(134)。基于设计与制造状况与一般的状况不同PUF用电路的制造具有使电路零件的偏差变大的因素，基于PUF用电路的输出，码产生部产生码。本发明能够提高特有信息的随机性，即使动作条件变化，也能提高特有信息的恒久性。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 特有 信息 产生 | ||
【主权项】：
一种半导体装置的制造方法，其特征在于，该半导体装置具有基于第2电路的电路零件的输出而产生特有信息的功能，该制造方法，包括：制造第1电路与该第2电路的工序；该第1电路是遵循第1设计条件而设计；该第2电路是遵循第2设计条件而设计；该第2设计条件相较于该第1设计条件还包含使该电路零件的偏差变大的因素。
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