[发明专利]静态随机存储单元、静态随机存储器及其存取方法在审
| 申请号： | 201710304827.5 | 申请日： | 2017-05-03 |
| 公开（公告）号： | CN108806741A | 公开（公告）日： | 2018-11-13 |
| 发明（设计）人： | 王楠 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/412 | 分类号： | G11C11/412;G11C11/417 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种静态随机存储单元，包括两组晶体管，第一组晶体管的第一上拉晶体管、第一下拉晶体管以及第一通过栅晶体管各自包括的鳍结构的数量之比与第二组晶体管的第二上拉晶体管、第二下拉晶体管以及第二通过栅晶体管各自包括的鳍结构的数量之比不同；所述第一通过栅晶体管的源极和漏极中的一个电性连接第一位线，所述第二通过栅晶体管的源极和漏极中的一个电性连接第二位线。将这种非对称性设计的静态随机存储单元应用于静态随机存储器中，有利于静态随机存储器的存取，提高静态随机存储器的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 晶体管 静态随机存储器 静态随机存储单元 上拉晶体管 下拉晶体管 电性连接 组晶体管 鳍结构 漏极 位线 源极 存取 非对称性 两组 应用 | ||
【主权项】：
1.一种静态随机存储单元，其特征在于，包括两组晶体管，第一组晶体管包括第一上拉晶体管、第一下拉晶体管以及第一通过栅晶体管，第二组晶体管包括第二上拉晶体管、第二下拉晶体管以及第二通过栅晶体管；其中，第一上拉晶体管、第一下拉晶体管以及第一通过栅晶体管各自包括的鳍结构的数量之比与第二上拉晶体管、第二下拉晶体管以及第二通过栅晶体管各自包括的鳍结构的数量之比不同；所述第一通过栅晶体管的源极和漏极中的一个电性连接第一位线，所述第二通过栅晶体管的源极和漏极中的一个电性连接第二位线。
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