[发明专利]半导体器件及其形成方法

摘要

本发明提供一种半导体器件及其形成方法，其中形成方法包括：提供衬底，所述衬底具有第一开口和第二开口，以第一图形化层为掩膜，去除所述第二开口内的第二保护层和第一保护层，暴露出所述第二开口底部的第一栅氧层；去除所述第二开口底部的第一栅氧层和所述第一开口内的第二保护层暴露出所述第一开口底部的第一保护层；在所述第二开口底部形成第二栅氧层。所述形成方法能够避免出现光刻胶残留，同时也防止刻蚀工艺对于核心区的膜层损伤，从而提高半导体器件的沟道区质量，减少漏电流，提高半导体器件的性能和可靠性。

主权项

1.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底包括核心区和外围区，所述衬底上具有介质结构，所述介质结构内具有第一开口和第二开口，所述第一开口位于外围区，所述第二开口位于核心区，所述第一开口和第二开口底部的衬底上分别具有第一栅氧层，所述第一栅氧层表面具有第一保护层；在所述核心区和所述外围区的介质结构上、第一开口的侧壁和底部、以及第二开口的侧壁和底部形成第二保护层；在所述第二保护层上形成第一图形化层，所述第一图形化层暴露出所述第二开口内的第二保护层；以第一图形化层为掩膜，去除所述第二开口内的第二保护层和第一保护层，暴露出所述第二开口底部的第一栅氧层；在去除所述第二开口内的第二保护层和第一保护层之后，去除所述第一图形化层；在去除所述第一图形化层之后，去除所述第二开口底部的第一栅氧层和所述第一开口内的第二保护层，暴露出所述第一开口底部的第一保护层；在去除所述第二开口底部的第一栅氧层和所述第一开口内的第二保护层之后，在所述第二开口底部形成第二栅氧层。