[发明专利]半导体装置及其制造方法有效
| 申请号： | 201710303451.6 | 申请日： | 2017-05-02 |
| 公开（公告）号： | CN107527821B | 公开（公告）日： | 2023-04-07 |
| 发明（设计）人： | 吉泽隆彦;渡边邦雄;白泽立基;作田孝 | 申请（专利权）人： | 精工爱普生株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/48 | 分类号： | H01L21/48;H01L23/498 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 李辉;邓毅 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供半导体装置及其制造方法，该半导体装置的制造方法能够使焊盘的机械强度比以往提高而抑制裂纹的产生。该半导体装置的制造方法具有如下工序：形成由第1金属层构成的第1焊盘；在第1焊盘上形成绝缘层；通过去除第1焊盘的至少一部分区域上的绝缘层，在绝缘层设置开口部；以使第2焊盘具有比绝缘层的膜厚小的膜厚的方式，在绝缘层的开口部形成由第2金属层构成的第2焊盘；以及在第2焊盘上形成由第3金属层构成的第3焊盘。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体装置的制造方法，其中，该半导体装置的制造方法具有如下工序：工序(a)，形成由第1金属层构成的第1焊盘；工序(b)，在所述第1焊盘上形成绝缘层；工序(c)，通过去除所述第1焊盘的至少一部分区域上的所述绝缘层，在所述绝缘层设置开口部；工序(d)，以使第2焊盘具有比所述绝缘层的膜厚小的膜厚的方式，在所述绝缘层的所述开口部形成由第2金属层构成的第2焊盘；以及工序(e)，在所述第2焊盘上形成由第3金属层构成的第3焊盘。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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