[发明专利]一种半导体CuGaS2六边形片状纳米晶体的制备方法在审
| 申请号： | 201710297841.7 | 申请日： | 2017-04-29 |
| 公开（公告）号： | CN107055591A | 公开（公告）日： | 2017-08-18 |
| 发明（设计）人： | 李燕梅;胡林峰;宋云;蒋颖畅;孙大林 | 申请（专利权）人： | 复旦大学 |
| 主分类号： | C01G15/00 | 分类号： | C01G15/00 |
| 代理公司： | 上海正旦专利代理有限公司31200 | 代理人： | 陆飞,陆尤 |
| 地址： | 200433 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明属于半导体材料技术领域，具体为一种半导体CuGaS2六边形片状纳米晶体的制备方法。本发明采用水热法合成出边长为2~5微米、厚度在300纳米以内的CuGaO2六边形片状晶体，用硫化的工艺硫化成四方晶系的CuGaS2六边形片状晶体。该材料可广泛用于电池、光探测器、光催化或太阳能电池等。该工艺具有很好的普适性，生产过程简单、环保，克服了传统硫化物合成方面存在的工艺复杂、低效、低产、对环境存在污染等缺点，该制备方法可以广泛应用于一些硫化物材料的合成。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 cugas2 六边形 片状 纳米 晶体 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体CuGaS2六边形片状晶体的制备方法，其特征在于，以无机铜盐、无机镓盐和强碱为原料，以醇类溶剂为还原剂，通过水热合成法在水相介质中合成出六角片状CuGaO2；通过加热硫脲，使硫脲产生的H2S气体通入CuGaO2粉末中，使CuGaO2转变得到CuGaS2六边形片状纳米晶体。
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